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Artigo de periodico
GR-Noise Characterization of Ge pFinFETs With STI First and STI Last Processes (2016)
Oliveira, Alberto Vinicius de; Simoen, Eddy ; Mitard, Jerome; Agopian, Paula Ghedini Der ; Langer, Robert; Witters, Liesbeth J; Martino, João Antonio
Source: IEEE Electron Device Letters. Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, SILÍCIO
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ABNT
OLIVEIRA, Alberto Vinicius de et al. GR-Noise Characterization of Ge pFinFETs With STI First and STI Last Processes. IEEE Electron Device Letters, v. 37, n. 9, p. 1092-1095, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/led.2016.2595398. Acesso em: 21 maio 2024.
APA
Oliveira, A. V. de, Simoen, E., Mitard, J., Agopian, P. G. D., Langer, R., Witters, L. J., & Martino, J. A. (2016). GR-Noise Characterization of Ge pFinFETs With STI First and STI Last Processes. IEEE Electron Device Letters, 37( 9), 1092-1095. doi:10.1109/led.2016.2595398
NLM
Oliveira AV de, Simoen E, Mitard J, Agopian PGD, Langer R, Witters LJ, Martino JA. GR-Noise Characterization of Ge pFinFETs With STI First and STI Last Processes [Internet]. IEEE Electron Device Letters. 2016 ; 37( 9): 1092-1095.[citado 2024 maio 21 ] Available from: https://doi.org/10.1109/led.2016.2595398
Vancouver
Oliveira AV de, Simoen E, Mitard J, Agopian PGD, Langer R, Witters LJ, Martino JA. GR-Noise Characterization of Ge pFinFETs With STI First and STI Last Processes [Internet]. IEEE Electron Device Letters. 2016 ; 37( 9): 1092-1095.[citado 2024 maio 21 ] Available from: https://doi.org/10.1109/led.2016.2595398
Artigo de periodico
Spike Anneal Peak Temperature Impact on 1T-DRAM Retention Time (2014)
Nissimoff, Albert; Martino, João Antonio ; Aoulaiche, Marc; Veloso, Anabela; Witters, Liesbeth J.; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor
Source: IEEE Electron Device Letters. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, MODELOS MATEMÁTICOS, CAPACITORES
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ABNT
NISSIMOFF, Albert et al. Spike Anneal Peak Temperature Impact on 1T-DRAM Retention Time. IEEE Electron Device Letters, v. 35, n. 6, p. 639-641, 2014Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/led.2014.2319094. Acesso em: 21 maio 2024.
APA
Nissimoff, A., Martino, J. A., Aoulaiche, M., Veloso, A., Witters, L. J., Simoen, E., & Claeys, C. (2014). Spike Anneal Peak Temperature Impact on 1T-DRAM Retention Time. IEEE Electron Device Letters, 35( 6), 639-641. doi:10.1109/led.2014.2319094
NLM
Nissimoff A, Martino JA, Aoulaiche M, Veloso A, Witters LJ, Simoen E, Claeys C. Spike Anneal Peak Temperature Impact on 1T-DRAM Retention Time [Internet]. IEEE Electron Device Letters. 2014 ; 35( 6): 639-641.[citado 2024 maio 21 ] Available from: https://doi.org/10.1109/led.2014.2319094
Vancouver
Nissimoff A, Martino JA, Aoulaiche M, Veloso A, Witters LJ, Simoen E, Claeys C. Spike Anneal Peak Temperature Impact on 1T-DRAM Retention Time [Internet]. IEEE Electron Device Letters. 2014 ; 35( 6): 639-641.[citado 2024 maio 21 ] Available from: https://doi.org/10.1109/led.2014.2319094
Artigo de periodico
Broad-band photoresponse from InAs quantum dots embedded into InGaAs graded well (2005)
Liang, Jie; Chua, Ying Chao; Manasreh, Mahmoud Omar; Marega Júnior, Euclydes; Salamo, G. J.
Source: IEEE Electron Device Letters. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, INFRAVERMELHO (MEDIÇÃO)
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ABNT
LIANG, Jie et al. Broad-band photoresponse from InAs quantum dots embedded into InGaAs graded well. IEEE Electron Device Letters, v. 26, n. 9, p. Se 2005, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/led.2005.854392. Acesso em: 21 maio 2024.
APA
Liang, J., Chua, Y. C., Manasreh, M. O., Marega Júnior, E., & Salamo, G. J. (2005). Broad-band photoresponse from InAs quantum dots embedded into InGaAs graded well. IEEE Electron Device Letters, 26( 9), Se 2005. doi:10.1109/led.2005.854392
NLM
Liang J, Chua YC, Manasreh MO, Marega Júnior E, Salamo GJ. Broad-band photoresponse from InAs quantum dots embedded into InGaAs graded well [Internet]. IEEE Electron Device Letters. 2005 ; 26( 9): Se 2005.[citado 2024 maio 21 ] Available from: https://doi.org/10.1109/led.2005.854392
Vancouver
Liang J, Chua YC, Manasreh MO, Marega Júnior E, Salamo GJ. Broad-band photoresponse from InAs quantum dots embedded into InGaAs graded well [Internet]. IEEE Electron Device Letters. 2005 ; 26( 9): Se 2005.[citado 2024 maio 21 ] Available from: https://doi.org/10.1109/led.2005.854392

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